Должность: Ведущий научный сотрудник НИИ физики им. В.А.Фока.
Степень доктора физико-математических наук ; 1989г,
звание профессора по специализации физика твёрдого тела ; 1992 г.Область деятельности: Специализация: физика твёрдого тела, электроника.
Интересы: защита окружающей среды, методы защиты от терроризма.
Основные труды: Является автором или соавтором около 150 научных статей в реферируемых журналах.
Избранные последние публикации:
- The influence of strong electric field on the interface in the Al-SiO2 -n-Si Auger transistor ;, Microelectronics Journal, 31, (2000) p905;
- High-efficient GaAs photo-field cathode;, Phys.Low-Dim.Struct., 3/4(2002)p69;
- Field emission and optical studies of photoelectron transport in the GaAs crystal ;, J.Phys.: Condens. Matter 15 (2003) p5171;
- Туннельная эмиссия электронов в фотополевых детекторах и Оже-транзисторе в сильных электрических полях , Физика и техника полупроводников,37(2003)p372;
- Kinetic processes in GaAs crystals at high electric field under laser radiation , Phys. Low-Dim. Struct. 5/6 (2004)p 57.
Была участником и руководителем проектов по нескольким международным научным программам, включая программу НАТО ; Наука для мира;. Последняя российская программа ; федеральная целевая программа ; Интеграция науки и высшего образования;.
Адрес электронной почты : Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Контактный телефон : 812-4284538
